MR256A08BCYS35R【PDF 1/24 页】IC MRAM 256KB 35NS 44TSOP

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MR256A08B

FEATURES

32K x 8 MRAM

3.3 Volt power supply

Fast 35 ns read/write cycle

SRAM compatible timing

Native non-volatility

Unlimited read & write endurance

Data always non-volatile for >20 years at temperature

Commercial and industrial temperatures

All products meet MSL-3 moisture sensitivity level

RoHS-Compliant TSOP2, BGA and SOIC packages

48-ball FBGA

BENEFITS

? One memory replaces FLASH, SRAM, EEPROM and MRAM

in system for simpler, more efficient design

? Improves reliability by replacing battery-backed SRAM

INTRODUCTION

The MR256A08B is a 262,144-bit magnetoresistive random access

memory (MRAM) device organized as 32,768 words of 8 bits. The

MR256A08B offers SRAM compatible 35ns read/write timing with un-

limited endurance.

44-pin TSOP2

32-pin SOIC

RoHS

Data is always non-volatile for greater than 20-years. Data is automatically protected on

power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification.

The MR256A08B is the ideal memory solution for applications that must permanently store

and retrieve critical data and programs quickly.

The MR256A08B is available in a small footprint 400-mil, 44-lead plastic small-outline TSOP

type-2 package, an 8 mm x 8 mm, 48-pin ball grid array (BGA) package, or a 32-lead SOIC

package. All package footprints are compatible with similar low-power SRAM products and

other non-volatile RAM products.

The MR256A08B provides highly reliable data storage over a wide range of temperatures.

The product is offered with commercial temperature (0 to +70 °C) and industrial temperature

(-40 to +85 °C) range options.

MR256A08B Rev. 6, 10/2013

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MR256A08BMA35R 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube

MR256A08BSO35 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube

MR256A08BSO35R 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube

MR256A08BYS35 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube

MR256A08BYS35R 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube

MR256D08BMA45 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 45ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube

MR256D08BMA45R 功能描述:NVRAM 256Kb 3.3V 45ns 32Kx8 Parallel MRAM RoHS:否制造商:Maxim Integrated 数据总线宽度:8 bit 存储容量:1024 Kbit 组织:128 K x 8 接口类型:Parallel 访问时间:70 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:4.5 V 工作电流:85 mA 最大工作温度:+ 70 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:EDIP 封装:Tube

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